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NVMFS4C01NT1G

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 30V; 370A; Idm: 900A; 161W; DFN5


Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
NVMFS4C01NT1G
Référence TME:
NVMFS4C01NT1G

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
30V
Courant du drain
370A
Courant du drain dans l'impulsion
900A
Puissance de dissipation
161W
Boîtier
DFN5
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
670µΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
139nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.01 g
Certificates
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NVMFS4C01NT1G
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