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NVMFWS2D1N08XT1G

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 80V; 181A; Idm: 761A; 148W; DFNW5

Famille de produits

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
NVMFWS2D1N08XT1G
Référence TME:
NVMFWS2D1N08XT1G

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
80V
Courant du drain
181A
Courant du drain dans l'impulsion
761A
Puissance de dissipation
148W
Boîtier
DFNW5
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
2,1mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
53nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.01 g
Certificates
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NVMFWS2D1N08XT1G
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