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NVMTS1D2N08H

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 80V; 337A; Idm: 900A; 150W; DFNW8


Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
NVMTS1D2N08H
Référence TME:
NVMTS1D2N08H

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
80V
Courant du drain
337A
Courant du drain dans l'impulsion
900A
Puissance de dissipation
150W
Boîtier
DFNW8
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
1,1mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
147nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.01 g
Certificates
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NVMTS1D2N08H
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