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Fabricant	ONSEMI
Type de module semi-conducteur	de transistor MOSFET
Construction de semi-conducteur	transistor/transistor
Tension drain-source	1,2kV
Courant du drain	400A
Boîtier	AHPM5-CDE
Topologie	demi-pont MOSFET
Montage électrique	THT, vissés
Résistance en état de conduction	4,6mΩ
Puissance de dissipation	1kW
La technologie	SiC
Tension entrée-source	-10...25V
Genre de la emballage	tube

NVVR26A120M1WSB

Module; transistor/transistor; 1,2kV; 400A; AHPM5-CDE; vissés,THT

Spécification