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NX7002BKXBZ

Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolaire; 60V; 330mA; Idm: 0,8A

Fabricant: NEXPERIA

Marque du fabricant:
NX7002BKXBZ
Référence TME:
NX7002BKXBZ

Spécification

Fabricant
NEXPERIA
Type de transistor
N-MOSFET x2
La technologie
Trench
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
60V
Courant du drain
0,33A
Courant du drain dans l'impulsion
0,8A
Puissance de dissipation
285mW
Boîtier
DFN1010B-6, SOT1216
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
2,8Ω
Montage
SMD
Charge d'entrée
1nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Version
ESD
Poids brut0.1 g
Certificates
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NX7002BKXBZ
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