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Fabricant	ONSEMI
Type de module semi-conducteur	de transistor MOSFET
Construction de semi-conducteur	transistor/transistor
Tension drain-source	1,2kV
Courant du drain	350A
Boîtier	PIM36
Topologie	demi-pont MOSFET
Montage électrique	Press-in PCB
Résistance en état de conduction	5,88mΩ
Courant du drain dans l'impulsion	700A
Puissance de dissipation	979W
La technologie	SiC
Tension entrée-source	-10...22V
Genre de la emballage	plateau
Montage mécanique	vissés

NXH003P120M3F2PTHG

Module; transistor/transistor; 1,2kV; 350A; PIM36; Press-in PCB

Spécification