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NXH010P120MNF1PG

Module; transistor/transistor; 1,2kV; 114A; PIM18; Press-in PCB

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
NXH010P120MNF1PG
Référence TME:
NXH010P120MNF1PG

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de module semi-conducteur
de transistor MOSFET
Construction de semi-conducteur
transistor/transistor
Tension drain-source
1,2kV
Courant du drain
114A
Boîtier
PIM18
Topologie
demi-pont MOSFET
Montage électrique
Press-in PCB
Résistance en état de conduction
14,5mΩ
Courant du drain dans l'impulsion
228A
Puissance de dissipation
413W
La technologie
SiC
Tension entrée-source
-15...25V
Genre de la emballage
plateau
Montage mécanique
vissés
Poids brut100 g
Certificates
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NXH010P120MNF1PG
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