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Fabricant	ONSEMI
Type de module semi-conducteur	de transistor MOSFET
Construction de semi-conducteur	transistor/transistor
Tension drain-source	1,2kV
Courant du drain	38A
Boîtier	PIM22
Topologie	redresseur H
Montage électrique	Press-in PCB
Résistance en état de conduction	68,2mΩ
Courant du drain dans l'impulsion	115A
Puissance de dissipation	100W
La technologie	SiC
Tension entrée-source	-10...22V
Genre de la emballage	plateau
Montage mécanique	vissés

NXH030F120M3F1PTG

Module; transistor/transistor; 1,2kV; 38A; PIM22; Press-in PCB

Spécification