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NXH240B120H3Q1P1G

Module: IGBT; diode SiC/transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 92A; PIM32


Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
NXH240B120H3Q1P1G
Référence TME:
NXH240B120H3Q1P1G

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de module semi-conducteur
IGBT
Construction de semi-conducteur
diode SiC/transistor
Tension inverse max.
1,2kV
Courant du collecteur
92A
Boîtier
PIM32
Utilisation
onduleur, pour UPS
Montage électrique
Press-Fit
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
276A
La technologie
SiC
Montage mécanique
vissés
Poids brut100 g
Certificates
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NXH240B120H3Q1P1G
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