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NXH450N65L4Q2F2S1G

Module: IGBT; diode/transistor; onduleur 3-niveaux 1-phase; SiC

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
NXH450N65L4Q2F2S1G
Référence TME:
NXH450N65L4Q2F2S1G

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de module semi-conducteur
IGBT
Construction de semi-conducteur
diode/transistor
Topologie
onduleur 3-niveaux 1-phase, thermistor NTC
Tension inverse max.
650V
Courant du collecteur
450A
Boîtier
PIM40
Utilisation
onduleur, pour UPS
Tension entrée - émetteur
±20V
La technologie
SiC
Montage mécanique
vissés
Poids brut100 g
Certificates
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NXH450N65L4Q2F2S1G
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Prix net pour les quantités de 36 pcs - 152.11 USDPrix brut pour les quantités de 36 pcs - 152.11 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 36)