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Fabricant	ONSEMI
Type de module semi-conducteur	IGBT
Construction de semi-conducteur	diode/transistor
Topologie	onduleur 3-niveaux 1-phase, thermistor NTC
Tension inverse max.	650V
Courant du collecteur	600A
Boîtier	PIM41
Utilisation	onduleur, pour UPS
Tension entrée - émetteur	±20V
La technologie	SiC
Montage mécanique	vissés

NXH600N65L4Q2F2SG

Module: IGBT; diode/transistor; onduleur 3-niveaux 1-phase; SiC

Spécification