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NXH75M65L4Q1PTG

Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 59A; PIM27; SiC

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
NXH75M65L4Q1PTG
Référence TME:
NXH75M65L4Q1PTG

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de module semi-conducteur
IGBT
Construction de semi-conducteur
diode/transistor
Tension inverse max.
650V
Courant du collecteur
59A
Boîtier
PIM27
Utilisation
onduleur, pour UPS
Montage électrique
Press-Fit
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
176A
La technologie
SiC
Montage mécanique
vissés
Poids brut100 g
Certificates
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NXH75M65L4Q1PTG
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Prix net pour les quantités de 21 pcs - 70.98 USDPrix brut pour les quantités de 21 pcs - 70.98 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 21)