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NXH800H120L7QDSG

Module: IGBT; diode/transistor; demi-pont IGBT,thermistor NTC

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
NXH800H120L7QDSG
Référence TME:
NXH800H120L7QDSG

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de module semi-conducteur
IGBT
Construction de semi-conducteur
diode/transistor
Topologie
demi-pont IGBT, thermistor NTC
Tension inverse max.
1,2kV
Courant du collecteur
800A
Boîtier
PIM11
Utilisation
onduleur, pour UPS
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
1,6kA
La technologie
SiC
Montage mécanique
vissés
Poids brut100 g
Certificates
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NXH800H120L7QDSG
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Prix net pour les quantités de 24 pcs - 242.22 USDPrix brut pour les quantités de 24 pcs - 242.22 USD
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