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NXH80T120L2Q0S2G

Module: IGBT; diode/transistor; ondulateur à 3 niveau TNPC; SiC


Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
NXH80T120L2Q0S2G
Référence TME:
NXH80T120L2Q0S2G

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de module semi-conducteur
IGBT
Construction de semi-conducteur
diode/transistor
Topologie
ondulateur à 3 niveau TNPC, thermistor NTC
Tension inverse max.
1,2kV
Courant du collecteur
80A
Utilisation
onduleur, pour UPS
Tension entrée - émetteur
±20V
La technologie
SiC
Montage mécanique
vissés
Poids brut100 g
Certificates
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NXH80T120L2Q0S2G
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