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PMCXB1000UEZ

Transistor: N/P-MOSFET; Trench; unipolaire; 30/-30V; 590/-410mA

Fabricant: NEXPERIA

Marque du fabricant:
PMCXB1000UEZ
Référence TME:
PMCXB1000UEZ

Spécification

Fabricant
NEXPERIA
Type de transistor
N/P-MOSFET
La technologie
Trench
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
30/-30V
Courant du drain
590/-410mA
Courant du drain dans l'impulsion
-1,7...2,3A
Boîtier
DFN1010B-6, SOT1216
Tension entrée-source
±8/±8V
Résistance en état de conduction
670mΩ/1,4Ω
Montage
SMD
Charge d'entrée
1,05/1,2nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Version
ESD
Poids brut0.1 g
Certificates

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PMCXB1000UEZ
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