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Fabricant | NEXPERIA | |
Type de transistor | N/P-MOSFET | |
La technologie | Trench | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 30/-30V | |
Courant du drain | 590/-410mA | |
Courant du drain dans l'impulsion | -1,7...2,3A | |
Boîtier | DFN1010B-6, SOT1216 | |
Tension entrée-source | ±8/±8V | |
Résistance en état de conduction | 670mΩ/1,4Ω | |
Montage | SMD | |
Charge d'entrée | 1,05/1,2nC | |
Genre de la emballage | bande, rouleau | |
Genre de canal | enrichi | |
Version | ESD |