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PMCXB900UEZ

Transistor: N/P-MOSFET; Trench; unipolaire; 20/-20V; 400/-300mA

Fabricant: NEXPERIA

Marque du fabricant:
PMCXB900UEZ
Référence TME:
PMCXB900UEZ

Spécification

Fabricant
NEXPERIA
Type de transistor
N/P-MOSFET
La technologie
Trench
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
20/-20V
Courant du drain
400/-300mA
Courant du drain dans l'impulsion
-2...2,5A
Boîtier
DFN1010B-6, SOT1216
Tension entrée-source
±8/±8V
Résistance en état de conduction
1/2,1Ω
Montage
SMD
Charge d'entrée
700pC/2,1nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Version
ESD
Poids brut0.1 g
Certificates

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PMCXB900UEZ
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