PMDPB30XNZ
Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolaire; 20V; 2,6A; Idm: 12A
Fabricant: NEXPERIA
Marque du fabricant:
PMDPB30XNZ
Référence TME:
PMDPB30XNZ
Spécification
Fabricant | NEXPERIA | |
Type de transistor | N-MOSFET x2 | |
La technologie | Trench | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 20V | |
Courant du drain | 2,6A | |
Courant du drain dans l'impulsion | 12A | |
Boîtier | DFN2020-6, HUSON6, SOT1118 | |
Tension entrée-source | ±12V | |
Résistance en état de conduction | 69mΩ | |
Montage | SMD | |
Charge d'entrée | 21,7nC | |
Genre de la emballage | bande, rouleau | |
Genre de canal | enrichi |
Poids brut0.1 g
Certificates
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