PMDPB58UPE,115
Transistor: P-MOSFET x2; Trench; unipolaire; -20V; -2,3A; ESD
Fabricant: NEXPERIA
Marque du fabricant:
PMDPB58UPE,115
Référence TME:
PMDPB58UPE.115
Spécification
Fabricant | NEXPERIA | |
Type de transistor | P-MOSFET x2 | |
La technologie | Trench | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | -20V | |
Courant du drain | -2,3A | |
Courant du drain dans l'impulsion | -14,4A | |
Boîtier | DFN2020-6, HUSON6, SOT1118 | |
Tension entrée-source | ±8V | |
Résistance en état de conduction | 95mΩ | |
Montage | SMD | |
Charge d'entrée | 9,5nC | |
Genre de la emballage | bande, rouleau | |
Genre de canal | enrichi | |
Version | ESD |
Poids brut0.1 g
Certificates
REGARDEZ LA VIDÉO
Voir tous les produits de cette catégorie: Transistors multicanaux NEXPERIA,
* PMDPB58UPE,115Nombre de pièces (Multiplication: 3 000)
0 dans l'entrepôt TME
Produit sur commande spéciale