PMDPB80XP,115
Transistor: P-MOSFET x2; Trench; unipolaire; -20V; -1,7A; Idm: -11A
Fabricant: NEXPERIA
Marque du fabricant:
PMDPB80XP,115
Référence TME:
PMDPB80XP.115
Spécification
Fabricant | NEXPERIA | |
Type de transistor | P-MOSFET x2 | |
La technologie | Trench | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | -20V | |
Courant du drain | -1,7A | |
Courant du drain dans l'impulsion | -11A | |
Boîtier | DFN2020-6, HUSON6, SOT1118 | |
Tension entrée-source | ±12V | |
Résistance en état de conduction | 148mΩ | |
Montage | SMD | |
Charge d'entrée | 8,6nC | |
Genre de la emballage | bande, rouleau | |
Genre de canal | enrichi |
Poids brut0.1 g
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* PMDPB80XP,115Nombre de pièces (Multiplication: 3 000)
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