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Fabricant | NEXPERIA | |
Type de transistor | N/P-MOSFET | |
La technologie | Trench | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 20/-20V | |
Courant du drain | 500/-350mA | |
Courant du drain dans l'impulsion | -2,2...3,2A | |
Puissance de dissipation | 0,5W | |
Boîtier | SOT666 | |
Tension entrée-source | ±8/±8V | |
Résistance en état de conduction | 610mΩ/1,4Ω | |
Montage | SMD | |
Charge d'entrée | 0,68/1,14nC | |
Genre de la emballage | bande, rouleau | |
Genre de canal | enrichi |