PMDXB1200UPEZ
Transistor: P-MOSFET x2; Trench; unipolaire; -30V; -260mA; ESD
Fabricant: NEXPERIA
Marque du fabricant:
PMDXB1200UPEZ
Référence TME:
PMDXB1200UPEZ
Spécification
Fabricant | NEXPERIA | |
Type de transistor | P-MOSFET x2 | |
La technologie | Trench | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | -30V | |
Courant du drain | -260mA | |
Courant du drain dans l'impulsion | -1,7A | |
Boîtier | DFN1010B-6, SOT1216 | |
Tension entrée-source | ±8V | |
Résistance en état de conduction | 2,4Ω | |
Montage | SMD | |
Charge d'entrée | 1,2nC | |
Genre de la emballage | bande, rouleau | |
Genre de canal | enrichi | |
Version | ESD |
Poids brut0.1 g
Certificates
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* PMDXB1200UPEZNombre de pièces (Multiplication: 5 000)
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