PMDXB550UNEZ
Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolaire; 30V; 370mA; Idm: 2,3A
Fabricant: NEXPERIA
Marque du fabricant:
PMDXB550UNEZ
Référence TME:
PMDXB550UNEZ
Spécification
Fabricant | NEXPERIA | |
Type de transistor | N-MOSFET x2 | |
La technologie | Trench | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 30V | |
Courant du drain | 0,37A | |
Courant du drain dans l'impulsion | 2,3A | |
Boîtier | DFN1010B-6, SOT1216 | |
Tension entrée-source | ±8V | |
Résistance en état de conduction | 1,17Ω | |
Montage | SMD | |
Charge d'entrée | 1,05nC | |
Genre de la emballage | bande, rouleau | |
Genre de canal | enrichi | |
Version | ESD |
Poids brut0.1 g
Certificates
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* PMDXB550UNEZNombre de pièces (Multiplication: 5 000)
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