PMDXB600UNEZ
Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolaire; 20V; 400mA; Idm: 2,5A
Fabricant: NEXPERIA
Marque du fabricant:
PMDXB600UNEZ
Référence TME:
PMDXB600UNEZ
Spécification
Fabricant | NEXPERIA | |
Type de transistor | N-MOSFET x2 | |
La technologie | Trench | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 20V | |
Courant du drain | 0,4A | |
Courant du drain dans l'impulsion | 2,5A | |
Boîtier | DFN1010B-6, SOT1216 | |
Tension entrée-source | ±8V | |
Résistance en état de conduction | 1Ω | |
Montage | SMD | |
Charge d'entrée | 0,7nC | |
Genre de la emballage | bande, rouleau | |
Genre de canal | enrichi | |
Version | ESD |
Poids brut0.1 g
Certificates
REGARDEZ LA VIDÉO
Voir tous les produits de cette catégorie: Transistors multicanaux NEXPERIA,
* PMDXB600UNEZNombre de pièces (Multiplication: 5 000)
0 dans l'entrepôt TME
Produit sur commande spéciale