PMDXB950UPEZ
Transistor: P-MOSFET x2; Trench; unipolaire; -20V; -300mA; Idm: -2A
Fabricant: NEXPERIA
Marque du fabricant:
PMDXB950UPEZ
Référence TME:
PMDXB950UPEZ
Spécification
Fabricant | NEXPERIA | |
Type de transistor | P-MOSFET x2 | |
La technologie | Trench | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | -20V | |
Courant du drain | -0,3A | |
Courant du drain dans l'impulsion | -2A | |
Boîtier | DFN1010B-6, SOT1216 | |
Résistance en état de conduction | 2,1Ω | |
Montage | SMD | |
Charge d'entrée | 2,1nC | |
Genre de la emballage | bande, rouleau | |
Genre de canal | enrichi | |
Version | ESD |
Poids brut0.1 g
Certificates
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* PMDXB950UPEZNombre de pièces (Multiplication: 1)
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