PMN50EPEX
Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolaire; -30V; -2,9A; Idm: -19A
Fabricant: NEXPERIA
Marque du fabricant:
PMN50EPEX
Référence TME:
PMN50EPEX
Spécification
Fabricant | NEXPERIA | |
Type de transistor | P-MOSFET | |
La technologie | Trench | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | -30V | |
Courant du drain | -2,9A | |
Courant du drain dans l'impulsion | -19A | |
Boîtier | SC74, SOT457, TSOP6 | |
Tension entrée-source | ±20V | |
Résistance en état de conduction | 67mΩ | |
Montage | SMD | |
Charge d'entrée | 20nC | |
Genre de la emballage | bande, rouleau | |
Genre de canal | enrichi |
Poids brut0.1 g
Certificates
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* PMN50EPEXNombre de pièces (Multiplication: 3 000)
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