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PMT200EPEX

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolaire; -70V; -1,5A; Idm: -9,7A


Fabricant: NEXPERIA

Marque du fabricant:
PMT200EPEX
Référence TME:
PMT200EPEX

Spécification

Fabricant
NEXPERIA
Type de transistor
P-MOSFET
La technologie
Trench
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
-70V
Courant du drain
-1,5A
Courant du drain dans l'impulsion
-9,7A
Boîtier
SC73, SOT223
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
0,25Ω
Montage
SMD
Charge d'entrée
15,9nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Version
ESD
Poids brut0.1 g
Certificates

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