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Fabricant | NEXPERIA | |
Type de transistor | P-MOSFET | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | -30V | |
Courant du drain | -2,7A | |
Courant du drain dans l'impulsion | -17A | |
Boîtier | SOT23, TO236AB | |
Résistance en état de conduction | 67mΩ | |
Montage | SMD | |
Charge d'entrée | 19,2nC | |
Genre de la emballage | bande, rouleau | |
Genre de canal | enrichi | |
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs | logic level | |
Version | ESD |