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Fabricant | NEXPERIA | |
Type de transistor | P-MOSFET | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | -20V | |
Courant du drain | -2,3A | |
Courant du drain dans l'impulsion | -14,5A | |
Boîtier | SOT23, TO236AB | |
Résistance en état de conduction | 86mΩ | |
Montage | SMD | |
Charge d'entrée | 12nC | |
Genre de la emballage | bande, rouleau | |
Genre de canal | enrichi |