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QH8JB5TCR

Transistor: P-MOSFET x2; unipolaire; -40V; -5A; Idm: -20A; 1,5W

Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
QH8JB5TCR
Référence TME:
QH8JB5TCR

Spécification

Fabricant
ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor
P-MOSFET x2
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
-40V
Courant du drain
-5A
Courant du drain dans l'impulsion
-20A
Puissance de dissipation
1,5W
Boîtier
TSMT8
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
51mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
17,2nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.1 g
Certificates

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QH8JB5TCR
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