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QS5U17TR

Transistor: N-MOSFET + Schottky; unipolaire; 30V; 2A; Idm: 8A; ESD


Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
QS5U17TR
Référence TME:
QS5U17TR

Spécification

Fabricant
ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor
N-MOSFET + Schottky
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
30V
Courant du drain
2A
Courant du drain dans l'impulsion
8A
Puissance de dissipation
1,25W
Boîtier
TSOT25
Tension entrée-source
±12V
Résistance en état de conduction
154mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
2,8nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Version
ESD
Poids brut0.1 g
Certificates

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QS5U17TR
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