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QS6J11TR

Transistor: P-MOSFET x2; unipolaire; -12V; -2A; Idm: -8A; 1,25W

Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
QS6J11TR
Référence TME:
QS6J11TR

Spécification

Fabricant
ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor
P-MOSFET x2
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
-12V
Courant du drain
-2A
Courant du drain dans l'impulsion
-8A
Puissance de dissipation
1,25W
Boîtier
TSMT6
Tension entrée-source
±10V
Résistance en état de conduction
0,4Ω
Montage
SMD
Charge d'entrée
6,5nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Version
ESD
Poids brut0.1 g
Certificates

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QS6J11TR
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