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QS6K1TR

Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 30V; 1A; Idm: 4A; 1,25W; TSMT6

Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
QS6K1TR
Référence TME:
QS6K1TR

Spécification

Fabricant
ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
30V
Courant du drain
1A
Courant du drain dans l'impulsion
4A
Puissance de dissipation
1,25W
Boîtier
TSMT6
Tension entrée-source
±12V
Résistance en état de conduction
364mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
1,7nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Version
ESD
Poids brut0.1 g
Certificates

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QS6K1TR
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