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Famille de produits

QS8J4TR

Transistor: P-MOSFET x2; unipolaire; -30V; -4A; Idm: -16A; 1,5W

Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
QS8J4TR
Référence TME:
QS8J4TR

Spécification

Fabricant
ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor
P-MOSFET x2
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
-30V
Courant du drain
-4A
Courant du drain dans l'impulsion
-16A
Puissance de dissipation
1,5W
Boîtier
TSMT8
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
84mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
8,4nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Version
ESD
Poids brut0.1 g
Certificates

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QS8J4TR
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