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QS8J5TR

Transistor: P-MOSFET x2; unipolaire; -30V; -5A; Idm: -20A; 1,5W

Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
QS8J5TR
Référence TME:
QS8J5TR

Spécification

Fabricant
ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor
P-MOSFET x2
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
-30V
Courant du drain
-5A
Courant du drain dans l'impulsion
-20A
Puissance de dissipation
1,5W
Boîtier
TSMT8
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
63mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
19nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Version
ESD
Poids brut0.1 g
Certificates

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QS8J5TR
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