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QS8K11TCR

Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 30V; 3,5A; Idm: 12A; 1,5W; ESD

Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
QS8K11TCR
Référence TME:
QS8K11TCR

Spécification

Fabricant
ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
30V
Courant du drain
3,5A
Courant du drain dans l'impulsion
12A
Puissance de dissipation
1,5W
Boîtier
TSMT8
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
75mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
3,3nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Version
ESD
Poids brut0.1 g
Certificates

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QS8K11TCR
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