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QS8M31TR

Transistor: N/P-MOSFET; unipolaire; 60/-60V; 3/-2A; Idm: 4÷6A; 1,5W

Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
QS8M31TR
Référence TME:
QS8M31TR

Spécification

Fabricant
ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor
N/P-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
60/-60V
Courant du drain
3/-2A
Courant du drain dans l'impulsion
4...6A
Puissance de dissipation
1,5W
Boîtier
TSMD8
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
137/266mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
4/7,2nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.027 g
Certificates

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QS8M31TR
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Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 3 000 pcs