Name: ROHM SEMICONDUCTOR R6002END3TL1
Brand: ROHM SEMICONDUCTOR
SKU: R6002END3TL1
Availability: OutOfStock

R6002END3TL1

Prix net pour les quantités de 1 pcs - 1.26 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 1.26 USD

Prix net pour les quantités de 10 pcs - 0.89 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 0.89 USD

Prix net pour les quantités de 100 pcs - 0.66 USDPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 0.66 USD

Prix net pour les quantités de 500 pcs - 0.54 USDPrix brut pour les quantités de 500 pcs - 0.54 USD

Prix net pour les quantités de 1000 pcs - 0.50 USDPrix brut pour les quantités de 1000 pcs - 0.50 USD

Prix net pour les quantités de 2500 pcs - 0.45 USDPrix brut pour les quantités de 2500 pcs - 0.45 USD

Prix net pour les quantités de 5000 pcs - 0.41 USDPrix brut pour les quantités de 5000 pcs - 0.41 USD

Prix net pour les quantités de 7500 pcs - 0.39 USDPrix brut pour les quantités de 7500 pcs - 0.39 USD

Prix net pour les quantités de 10000 pcs - 0.38 USDPrix brut pour les quantités de 10000 pcs - 0.38 USD

Prix net pour les quantités de 12500 pcs - 0.37 USDPrix brut pour les quantités de 12500 pcs - 0.37 USD

Nombre de pièces (Multiplication: 1)

La quantité minimum possible pour la commande: 1.
Multiplication: 1.

Fabricant	ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	600V
Courant du drain	1,7A
Courant du drain dans l'impulsion	4A
Puissance de dissipation	26W
Boîtier	TO252
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	6Ω
Montage	SMD
Charge d'entrée	6,5nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

R6002END3TL1

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 600V; 1,7A; Idm: 4A; 26W; TO252