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R6030KNZ4C13

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 600V; 30A; Idm: 90A; 305W; TO247

Famille de produits

Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
R6030KNZ4C13
Référence TME:
R6030KNZ4C13

Spécification

Fabricant
ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
600V
Courant du drain
30A
Courant du drain dans l'impulsion
90A
Puissance de dissipation
305W
Boîtier
TO247
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
0,24Ω
Montage
THT
Charge d'entrée
56nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Poids brut3 g
Certificates
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R6030KNZ4C13
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