+1 500 000 produits offerts

7000 colis expédiés chaque jour

+300 000 clients de 150 pays

Avez-vous des questions ? Appelez 678.691.2347 (lun-ven 08.00-18.00 EDT)

Enregistrez vous

Quick Buy Favoris

Pas de douanes américaines – Commandez chez TME en toute confiance

En savoir plus ici

Traitement de données en cours

La limite de votre crédit a été dépassée. La commande sera acceptée mais elle ne sera pas traitée. Le calendrier de livraisons des articles ne sera pas non plus déterminé. Veuillez contacter un employé de TME.

L’opération a été réussie

Une erreur imprévue s’est produite. Réessayer.

Fabricant	ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	600V
Courant du drain	76A
Courant du drain dans l'impulsion	228A
Puissance de dissipation	735W
Boîtier	TO247
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	85mΩ
Montage	THT
Charge d'entrée	260nC
Genre de la emballage	tube
Genre de canal	enrichi

R6076ENZ4C13

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 600V; 76A; Idm: 228A; 735W; TO247

Spécification