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Fabricant	ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	650V
Courant du drain	47A
Courant du drain dans l'impulsion	141A
Puissance de dissipation	480W
Boîtier	TO247
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	80mΩ
Montage	THT
Charge d'entrée	0,1µC
Genre de la emballage	tube
Genre de canal	enrichi

R6547KNZ4C13

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 650V; 47A; Idm: 141A; 480W; TO247

Spécification