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R6576ENZ4C13

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 650V; 76A; Idm: 228A; 735W; TO247

Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
R6576ENZ4C13
Référence TME:
R6576ENZ4C13

Spécification

Fabricant
ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
650V
Courant du drain
76A
Courant du drain dans l'impulsion
228A
Puissance de dissipation
735W
Boîtier
TO247
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
80mΩ
Montage
THT
Charge d'entrée
260nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Poids brut3 g
Certificates
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R6576ENZ4C13
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