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Fabricant	ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	200V
Courant du drain	70A
Courant du drain dans l'impulsion	140A
Puissance de dissipation	297W
Boîtier	D2PAK
Tension entrée-source	±30V
Résistance en état de conduction	87mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	125nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

RCJ700N20TL

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 200V; 70A; Idm: 140A; 297W; D2PAK

Spécification

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