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RD3G01BATTL1

Transistor: P-MOSFET; unipolaire; -40V; -15A; Idm: -30A; 25W

Famille de produits

Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
RD3G01BATTL1
Référence TME:
RD3G01BATTL1

Spécification

Fabricant
ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
-40V
Courant du drain
-15A
Courant du drain dans l'impulsion
-30A
Puissance de dissipation
25W
Boîtier
DPAK, TO252
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
49mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
19,3nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut1 g
Certificates

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RD3G01BATTL1
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La quantité minimum possible pour la commande: 1.
Multiplication: 1.