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RD3L07BATTL1

Transistor: P-MOSFET; unipolaire; -60V; -70A; Idm: -140A; 101W


Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
RD3L07BATTL1
Référence TME:
RD3L07BATTL1

Spécification

Fabricant
ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
-60V
Courant du drain
-70A
Courant du drain dans l'impulsion
-140A
Puissance de dissipation
101W
Boîtier
DPAK, TO252
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
14,1mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
105nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut1 g
Certificates

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RD3L07BATTL1
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