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RD3P08BBDTL

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 100V; 80A; Idm: 160A; 119W

Famille de produits

Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
RD3P08BBDTL
Référence TME:
RD3P08BBDTL

Spécification

Fabricant
ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
100V
Courant du drain
80A
Courant du drain dans l'impulsion
160A
Puissance de dissipation
119W
Boîtier
DPAK, TO252
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
16mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
37nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut1 g
Certificates

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RD3P08BBDTL
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