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RD3S100CNTL1

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 190V; 10A; Idm: 40A; 85W; TO252


Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
RD3S100CNTL1
Référence TME:
RD3S100CNTL1

Spécification

Fabricant
ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
190V
Courant du drain
10A
Courant du drain dans l'impulsion
40A
Puissance de dissipation
85W
Boîtier
TO252
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
0,19Ω
Montage
SMD
Charge d'entrée
52nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut1 g
Certificates

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RD3S100CNTL1
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