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RF4C100BCTCR

Transistor: P-MOSFET; unipolaire; -20V; -10A; Idm: -36A; 2W

Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
RF4C100BCTCR
Référence TME:
RF4C100BCTCR

Spécification

Fabricant
ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
-20V
Courant du drain
-10A
Courant du drain dans l'impulsion
-36A
Puissance de dissipation
2W
Boîtier
DFN2020-8S
Tension entrée-source
±8V
Résistance en état de conduction
15,6mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
23,5nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut1 g
Certificates

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RF4C100BCTCR
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