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RF4E080GNTR

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 30V; 8A; Idm: 32A; 2W; DFN2020-8S

Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
RF4E080GNTR
Référence TME:
RF4E080GNTR

Spécification

Fabricant
ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
30V
Courant du drain
8A
Courant du drain dans l'impulsion
32A
Puissance de dissipation
2W
Boîtier
DFN2020-8S
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
17,6mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
5,8nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.017 g
Certificates

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RF4E080GNTR
2990 dans l'entrepôt TME
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Prix net pour les quantités de 500 pcs - 0.24 USDPrix brut pour les quantités de 500 pcs - 0.24 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 3 000 pcs