Name: ROHM SEMICONDUCTOR RF4E100AJTCR
Brand: ROHM SEMICONDUCTOR
SKU: RF4E100AJTCR
Availability: InStock

RF4E100AJTCR

Prix net pour les quantités de 1 pcs - 1.38 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 1.38 USD

Prix net pour les quantités de 10 pcs - 0.87 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 0.87 USD

Prix net pour les quantités de 100 pcs - 0.58 USDPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 0.58 USD

Prix net pour les quantités de 500 pcs - 0.46 USDPrix brut pour les quantités de 500 pcs - 0.46 USD

Prix net pour les quantités de 1000 pcs - 0.42 USDPrix brut pour les quantités de 1000 pcs - 0.42 USD

Prix net pour les quantités de 3000 pcs - 0.37 USDPrix brut pour les quantités de 3000 pcs - 0.37 USD

Prix net pour les quantités de 6000 pcs - 0.35 USDPrix brut pour les quantités de 6000 pcs - 0.35 USD

Prix net pour les quantités de 9000 pcs - 0.34 USDPrix brut pour les quantités de 9000 pcs - 0.34 USD

Prix net pour les quantités de 15000 pcs - 0.32 USDPrix brut pour les quantités de 15000 pcs - 0.32 USD

Prix net pour les quantités de 21000 pcs - 0.31 USDPrix brut pour les quantités de 21000 pcs - 0.31 USD

Nombre de pièces (Multiplication: 1)

Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 3 000 pcs

Fabricant	ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	30V
Courant du drain	10A
Courant du drain dans l'impulsion	36A
Puissance de dissipation	2W
Boîtier	DFN2020-8S
Tension entrée-source	±12V
Résistance en état de conduction	12,4mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	13nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

RF4E100AJTCR

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 30V; 10A; Idm: 36A; 2W; DFN2020-8S