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RF4E110GNTR

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 30V; 11A; Idm: 44A; 2W; DFN2020-8S

Famille de produits

Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
RF4E110GNTR
Référence TME:
RF4E110GNTR

Spécification

Fabricant
ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
30V
Courant du drain
11A
Courant du drain dans l'impulsion
44A
Puissance de dissipation
2W
Boîtier
DFN2020-8S
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
11,3mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
7,4nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut1 g
Certificates

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RF4E110GNTR
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